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英国《自然物理学》杂志近日发表的一项研究显示，一个美国联合研究小组利用层状碲化钨制造二维( 2d )金属芯片，其厚度仅为3原子！ 更节能，存储速度提高了100倍以上。 与现有的基于硅的数据存储系统相比，新系统能够将更多的数据填充到非常小的物理空间中，从而实现了非常高的能效。
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标题：“新金属芯片提高存储速度百倍”
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2021-03-24
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